2.5 Gbps InGaAs アバランシェ・フォトダイオード(APD)裏面入射型チップ、チップオンキャリア 製品型番 : PDAB0055-C アプリケーション G-PON / GE-PON 2.5 Gbps InGaAs アバランシェ・フォトダイオード(APD)裏面入射型チップ、チップオンキャリアの特長 高信頼性 1000 ~ 1625nm スペクトル感度 低暗電流 2.5 Gbps InGaAs アバランシェ・フォトダイオード(APD)裏面入射型チップ、チップオンキャリアの仕様 電気光学特性 パラメータMin.Typ.Max.特記事項 受光領域径(μm) 55 感度 (A/W) 0.80 1.55μm, M=1 暗電流 (nA) 50 0.9V , 25℃ 降伏電圧 (Vbr) 35 60 10μA 電気容量 (pF) 0.7 1MHz, M=10 周波数応答 (GHz) 1.5 M=8, RL=50 動作電圧 (V) Vbr-1 M=10 パンチスルー電圧(Vp) 15 Vbr-10 下記参照 降伏電圧温度依存性 (%/℃) 0.1 0.15 *特記無き場合 25℃, Pout =1uW *パンチスルー電圧:IV特性の一次微分の極大値+1.5V *パンチスルー電圧において、増倍率は1(M=1)と定義する。 絶対最大定格 パラメータMin.Typ.Max. 逆方向電流(mA) 1 順方向電流(mA) 2 最大入射光強度(mW) 1 動作温度(℃) 0 +85 保存温度 (℃) -40 +85 2.5 Gbps InGaAs アバランシェ・フォトダイオード(APD)裏面入射型チップ、チップオンキャリアの寸法 Printer friendly PDF version (ご覧頂くにはAdobe® Reader®が必要です。)