光増幅器等向けに、ダイレクティビティ特性を改善した製品を新たに開発致しました。本製品に用いておりますPIN-PD Chipは、非常に優れた暗電流特性を持っており(高温時にも非常に低い暗電流を維持しております)、光増幅器に最適です。 本製品は自社生産のフォトダイオード・チップを用い、フィリピン工場でアッセンブリしています。

C Band	分岐比		0.5%	1%	2%	3%	5%	10%
	動作波長	nm	1520 ~ 1570
	最大挿入損失	dB	≦0.5	≦0.5	≦0.5	≦0.5	≦0.6	≦0.8
	波長依存性損失	dB	≦0.1
	温度依存性損失	dB	≦0.15
	偏波依存性損失	dB	≦0.05
	リターンロス	dB	≧50
	PD バイアス電圧, VR	V	5
	最小入力光強度	dBm	26	23	20	18	16	13
	最大感度	mA/W	8.5	15	26	40	64	145
	最小感度	mA/W	4	8	16	26	44	70
	波長依存性感度変動	dB	≦ 0.3
	温度依存性感度変動	dB	≦0.2
	偏波依存性感度変動	dB	≦0.15

L Band	分岐比		0.5%	1%	2%	3%	5%	10%
	動作波長	nm	1570 ~ 1610
	最大挿入損失	dB	≦0.5	≦0.5	≦0.5	≦0.5	≦0.6	≦0.8
	波長依存性損失	dB	≦0.1
	温度依存性損失	dB	≦0.15
	偏光依存性損失	dB	≦0.05
	リターンロス	dB	≧50
	最小入力光強度	dBm	26	23	20	18	16	13
	最大感度	mA/W	8.5	15	26	40	64	145
	最小感度	mA/W	4	8	16	26	44	70
	波長依存性感度変動	dB	≦ 0.4
	温度依存性感度変動	dB	≦ 0.4
	偏波依存性感度変動	dB	≦ 0.15

C+L Band	分岐比		0.5%	1%	2%	3%	5%	10%
	動作波長	nm	1520 ~ 1610
	最大挿入損失	dB	≦0.5	≦0.5	≦0.5	≦0.5	≦0.6	≦0.8
	波長依存性損失	dB	≦0.1
	温度依存性損失	dB	≦0.15
	偏波依存性損失	dB	≦0.05
	リターンロス	dB	≧50
	最小入力光強度	dBm	26	23	20	18	16	13
	最大感度	mA/W	8.5	15	26	40	64	145
	最小感度	mA/W	4	8	16	26	44	70
	波長依存性感度変動	dB	≦0.45
	温度依存性感度変動	dB	≦0.45
	偏波依存性感度変動	dB	≦0.15

上記にコネクタは含まれません。

共通仕様	動作温度	℃	0 ~ +75
	保存温度	℃	-40 ~ +85
	バイアス電圧	V	5
	ダイレクティビティ	dB	≧33 (typ.35dB)
	カットオフ周波数, RL=50Ω, -3dB	GHz	1(Typical)
	リニアリティ	%	+/- 1
	ファイバータイプ	mm	SMF-28e+　もしくは相当品
	はんだ温度	℃	250 (<10 sec)
	パッケージサイズ (標準パッケージ)	mm	(φ)3.0 x (L)20.4